2D ଗାଲଭୋ ସ୍କାନର୍ ଲେଜର ମାର୍କିଂ |ୱେଲଡିଂ |କାଟିବା |ସଫା କରିବା |G3 ସିରିଜ୍ |
ବର୍ଣ୍ଣନା ଏବଂ ପରିଚୟ
G3 ଅଲ୍ଟ II ଗାଲଭୋ ସ୍କାନର୍ ଏକାଧିକ ଆଣ୍ଟି-ଇଣ୍ଟରଫେରେନ୍ସ ପଦକ୍ଷେପ ଗ୍ରହଣ କରେ, ଦୃ strong ସିଷ୍ଟମ୍ ଇମ୍ୟୁନିଟି, ଉଚ୍ଚ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା, ଭଲ ର ar ଖ୍ୟତା, ଉଚ୍ଚ ପୁନରାବୃତ୍ତି ଏବଂ ସ୍ୱଳ୍ପ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସମୟ ପ୍ରଦାନ କରେ |ସିଷ୍ଟମ୍ ଏକ ଛୋଟ ଆକାର, ହାଲୁକା ଓଜନ, ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ସିଲ୍ ସହିତ ଏକ ସମନ୍ୱିତ ଡିଜାଇନ୍ ବ୍ୟବହାର କରେ, ଦୀର୍ଘ କାର୍ଯ୍ୟ ସମୟରେ ସ୍ଥିରତା ନିଶ୍ଚିତ କରେ |
G3 Std Galvo Scanner ହେଉଛି ଏକ ଉଚ୍ଚ-ଗତି, ସ୍ଥିର ଏବଂ ଅତ୍ୟଧିକ ସଠିକ୍ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ସ୍କାନିଂ ମଡ୍ୟୁଲ୍, ଲେଜର ସାମଗ୍ରୀ ମାର୍କିଂ, ଲେଜର କଟିଙ୍ଗ, ଲେଜର ୱେଲଡିଂ, 3D ପ୍ରିଣ୍ଟିଙ୍ଗ୍, ଲେଜର ସଫା କରିବା, ଫ୍ଲାଇଟ୍ କେବୁଲ୍ କଣ୍ଡ୍ୟୁଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ, ଦ୍ରୁତ QR କୋଡ୍ ଭଳି ପ୍ରୟୋଗରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ସ୍କାନିଂ, ଏବଂ ଅଧିକ |ଏହା ମଧ୍ୟମରୁ ଉଚ୍ଚ-ଶେଷ ପ୍ରୟୋଗ ପରିସ୍ଥିତି ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ |
G3 ବେସ୍ ଗାଲଭୋ ସ୍କାନର୍ ହେଉଛି ବହୁମୁଖୀ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ସ୍କାନିଂ ମଡ୍ୟୁଲ୍, ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ବ୍ୟୟ-ପ୍ରଭାବଶାଳୀତା ଏବଂ ଭଲ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସହିତ |ଏହା ଲେଜର ସାମଗ୍ରୀ ମାର୍କିଂ, ଲେଜର କଟିଙ୍ଗ, ଲେଜର ୱେଲଡିଂ, 3D ପ୍ରିଣ୍ଟିଂ, ଲେଜର ସଫେଇ ଭଳି ଶିଳ୍ପରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଏବଂ ମାନକ ଲେଜର ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ |
ଉତ୍ପାଦ ଚିତ୍ର |
G3 Ult II
G3 Std
G3 ଆଧାର |
ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ
| ବିନ୍ୟାସଗୁଡ଼ିକ | ||
| ସ୍କାନର୍ | ଇନପୁଟ୍ ବ୍ୟାସ | ୧୦ ମି.ମି. |
| ଟ୍ରାକିଂ ତ୍ରୁଟି | | 0.11 ମି | |
| ମାର୍କିଂ ଗତି | 8000 mm / s | |
| ପୋଜିସନ୍ ସ୍ପିଡ୍ | 15000 mm / s | |
| 1% ପୂର୍ଣ୍ଣ ମାପକାଠି | | 0.26 ମି | |
| 10% ପୂର୍ଣ୍ଣ ମାପକାଠି | | 0.62 ମି | |
| ପୁନରାବୃତ୍ତି | | <2 μrad | |
| ଡ୍ରାଇଫ୍ ଲାଭ କରନ୍ତୁ | | <100 ppm / K। | |
| ଅଫସେଟ୍ ଡ୍ରାଇଫ୍ | | <25 μrad / K | |
| 8h ରୁ ଅଧିକ ଡ୍ରାଇଫ୍ | | <0.1 mrad | |
| ଅଣନ ar ତିକତା | | <0.4% | |
| ଆଙ୍ଗଲ୍ ସ୍କାନ୍ କରନ୍ତୁ | | ± 0.35 ରେଡ୍ | | |
| ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ | XY2 - 100 | |
| ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ | | 10600 nm, 1064 nm, 532 nm, 355 nm | |
| ମ Basic ଳିକ | ଶକ୍ତି | ± 15 V DC, 5 A |
| ଓଜନ | 2100 ଗ୍ରାମ | |
| ୱାର୍କିଂ ଟେମ୍ପ୍ | | 25 ± 10 ° C | |
| ବିନ୍ୟାସଗୁଡ଼ିକ | ||
| ସ୍କାନର୍ | ଇନପୁଟ୍ ବ୍ୟାସ | ୧୦ ମି.ମି. |
| ଟ୍ରାକିଂ ତ୍ରୁଟି | | 0.11 ମି | |
| ମାର୍କିଂ ଗତି | 10000 mm / s | |
| ପୋଜିସନ୍ ସ୍ପିଡ୍ | 16000 mm / s | |
| 1% ପୂର୍ଣ୍ଣ ମାପକାଠି | | 0.26 ମି | |
| 10% ପୂର୍ଣ୍ଣ ମାପକାଠି | | 0.62 ମି | |
| ପୁନରାବୃତ୍ତି | | <2 μrad | |
| ଡ୍ରାଇଫ୍ ଲାଭ କରନ୍ତୁ | | <100 ppm / K। | |
| ଅଫସେଟ୍ ଡ୍ରାଇଫ୍ | | <25 μrad / K | |
| 8h ରୁ ଅଧିକ ଡ୍ରାଇଫ୍ | | <0.15 mrad | |
| ଅଣନ ar ତିକତା | | <1% | |
| ଆଙ୍ଗଲ୍ ସ୍କାନ୍ କରନ୍ତୁ | | ± 0.35 ରେଡ୍ | | |
| ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ | XY2 - 100 | |
| ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ | | 10600 nm 、 1064 nm 、 532 nm 、 355 nm | | |
| ମ Basic ଳିକ | ଶକ୍ତି | ± 15 V DC, 3 A |
| ଓଜନ | 1800 ଗ୍ରାମ | |
| ୱାର୍କିଂ ଟେମ୍ପ୍ | | 25 ± 10 ° C | |
| ବିନ୍ୟାସଗୁଡ଼ିକ | ||
| ସ୍କାନର୍ | ଇନପୁଟ୍ ବ୍ୟାସ | ୧୦ ମି.ମି. |
| ଟ୍ରାକିଂ ତ୍ରୁଟି | | 0.2 ମି | |
| ମାର୍କିଂ ଗତି | 5000 mm / s | |
| ପୋଜିସନ୍ ସ୍ପିଡ୍ | 10000 mm / s | |
| 1% ପୂର୍ଣ୍ଣ ମାପକାଠି | | 0.32 ମି | |
| 10% ପୂର୍ଣ୍ଣ ମାପକାଠି | | 1.2 ମି | |
| ପୁନରାବୃତ୍ତି | | <2 μrad | |
| ଡ୍ରାଇଫ୍ ଲାଭ କରନ୍ତୁ | | <150 ppm / K | |
| ଅଫସେଟ୍ ଡ୍ରାଇଫ୍ | | <50 μrad / K | |
| 8h ରୁ ଅଧିକ ଡ୍ରାଇଫ୍ | | <0.2 mrad | |
| ଅଣନ ar ତିକତା | | <1% | |
| ଆଙ୍ଗଲ୍ ସ୍କାନ୍ କରନ୍ତୁ | | ± 0.35 ରେଡ୍ | | |
| ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ | XY2 - 100 | |
| ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ | | 10600 nm 、 1064 nm 、 532 nm 、 355 nm | | |
| ମ Basic ଳିକ | ଶକ୍ତି | ± 15 V DC, 3 A |
| ଓଜନ | 1800 ଗ୍ରାମ | |
| ୱାର୍କିଂ ଟେମ୍ପ୍ | | 25 ± 10 ° C | |
